امروز: سه شنبه 29 اسفند 1402
دسته بندی محصولات
بخش همکاران
بلوک کد اختصاصی

بررسی سیستم های نانوالکترومکانیک (NEMS)

بررسی سیستم های نانوالکترومکانیک (NEMS) دسته: مکانیک
بازدید: 1 بار
فرمت فایل: doc
حجم فایل: 1123 کیلوبایت
تعداد صفحات فایل: 106

سیستم های نانوالكترومكانیك (NEMS) در جوامع علمی و تكنیكی مورد توجه زیادی بوده اند این دسته از سیستم ها كه بسیار شبیه به سیستم های میكروالكترومكانیك هستند در انواع حالات تشدید شده خود با ابعادی در سابمیكرون عمیق عمل می كنند سیستم در این محدوده، دارای فركانس های رزونانس بسیار، توده های فعال تحلیل یافته و ثبات نیروی پایداری باشند؛ ضریب كیفیت تشدید ای

قیمت فایل فقط 31,200 تومان

خرید

سیستم های نانوالكترومكانیك (NEMS)

سیستم های نانوالكترومكانیك (NEMS) در جوامع علمی و تكنیكی مورد توجه زیادی بوده اند. این دسته از سیستم ها كه بسیار شبیه به سیستم های میكروالكترومكانیك هستند در انواع حالات تشدید شده خود با ابعادی در سابمیكرون عمیق عمل می كنند. سیستم در این محدوده، دارای فركانس های رزونانس بسیار، توده های فعال تحلیل یافته و ثبات نیروی پایداری باشند؛ ضریب كیفیت تشدید این سیستم در رنج Q  lo3-105 بسیار بالاتر از دسته دیگر مدارهای تشدیدی الكتریكی می باشند. این سیستم در NEMS برای دسته بسیاری از كاربردهای تكنولوژی مانند سنسور فراسریع، دستگاه راه اندازی، و اجزای پردازش سیگنال مهیا می سازد.

به طور آزمایشی از NEMS انتظار می رود كه امكان تحقیق بر فرآیندهای مكانیكی متعادل فونون و واكنش كوانتوم سیستم های مكانیكی مزوسكوپیك را فراهم آورد. با وجود این، هنوز چالش های ریشه ای و تكنولوژیكی برای بهینه سازی NEMS وجود دارد. در این بررسی ما باید مروری بر چشم اندازها و چالش ها در این زمینه یك معرفی متعادل از NEMS را ارائه داده و كاربردهای جالب و آشكارسازی الكترومكانیك را به تصویر می كشیم.

سیستم های نانو الكترومكانیكی (NEMS)، تشدید گرهای مكانیكی با مقیاس نانو – به – میكرو متر می باشند كه به ابزار الكترونیكی دارای ابعاد مشابه وصل می شوند. NEMS نوید میكروسكوپ نیروی فراحساس سریع و عمیق شدن فهم ما از چگونگی پیدایش دینامیك كلاسیك با نزدیك شدن به دینامیك كوانتوم می باشد. این پژوهش با یك بررسی از NEMS شروع شده و پس از جنبه های خاص دینامیك كلاسیك آنها را توصیف می كند. مخصوصاً، نشان می دهیم كه برای اتصال ضعیف، عمل ابزار الكترونیكی روی تشدیدگرمكانیكی می تواند به طور مؤثر، یك حمام حرارتی باشد در حالیكه ابزار، یك محرك خارج از تعادل سیستم باشد.

1- مقدمه:

محققان با استفاده از مواد و فرآیندهای میكروالكترونیك مدت هاست كه كنترل پرتوها، چرخ دنده ها و پوسته های ماشین های میكروسكوپی را انجام داده اند كه این عناصر مكانیكی و مدارهای میكروالكترونیكی كه آن ها را كنترل می كنند را به طور كل سیستم های میكروالكترومكانیك یا MEMS خوانده اند. در تكنولوژی امروزی MEMS برای انجام اموری در تكنولوژی مدرن مانند باز و بسته كردن دریچه ها، ( سوپاپ ها) چرخاندن آینه ها و تنظیم جریان الكتریسیته و یا جریان نور بكار گرفته می شود. امروزه كمپانی های متعددی از غول های نیمه هادی گرفته تا راه اندازی های كوچك می خواهند ابزار MEMS را برای طیف گسترده ای از مشتریان تولید كنند. با تكنولوژی میكروالكترونیك كه هم اكنون تا حد ریز میكرون پیش رفته است زمان آن رسیده كه كشفیات متمركز NEMS را آغاز كنیم.

شكل 1 خانوادة NEMS نیمه رسانا را نشان داده و مراحل تولید ساخت كلی آن را مطرح می كند. این فرآیند برای طراحی آزادانه ساختارهای نیمه رسانای نانومتر به عنوان نانوماشین سطحی می باشدكه نقطة مخالف میكروماشین بالك MEMS می باشد این تكنیك ها برای سیلكون بر ساختارهای عایق،  گالیوم آرسناید روی سیستم های آلومینیوم گالیوم، كاربید سیلكون برسیلیكون، نیترید آلومینوم بر سیلیكون، لایه های الماس          نانو بلوری و لایه های نیترید سیلكون نامنظم بكار گرفته می شود. اكثر این مواد با درجه خلوص زیاد وجود دارد كه با كنترل دقیق ضخامت لایه ای رشد كرده اند.

این قسمت دوم (كیفیت كنترل لایه ای) كنترل ابعادی در بعد عمودی در سطح تك لایه ای را كنترل می كند. این مقوله كاملا منطبق با دقت ابعادی جانبی لیتوگرافی  پرتوالكترونی است كه به مقیاس اتمی نزدیك می شود.

NEMS دارای ویژگی های چشمگیری می باشد. آن ها دسترسی به فضای پارامتری را كه غیر پیش بینی است را فراهم می كنند؛ فركانس های مقاومت تشدیدی در میكرویو، ضریب كیفیت مكانیكی در دهها هزار، توده های فعال در femtogram، ظرفیت گرمایی پایین تر از یوكتوكالری و ...

این ویژگی ها تصورات و سیل افكار برای تجربیات و آزمایشات هیجان انگیز را بوجود می آورد و در عین حال تعداد زیادی سؤالات غیرقابل پیش بینی و نگرهایی های بیشماری را نیز بدنبال دارد از جمله این سؤالات: چگونه مبدل ها در مقیاس نانو مشخص می شوند؟ چگونه ویژگی های سطحی كنترل می گردد؟ ویژگی های پارامتر NEMS با هر اندازه و مقیاسی گسترده می باشند. كسانی كه می خواهند نسل بعدی NEMS را توسعه دهند باید به سمت آخرین كشفیات فیزیك و علوم مهندسی در جهات مختلف سوق بیابند. این بازنگری در چهار قسمت اصلی ذكر شده است. در دو بخش بعدی ما سعی می كنیم یك معرفی متعادل از NEMS را ارائه دهیم. ما نه تنها ویژگی های جالب و مورد توجه NEMS را مورد بحث و بررسی قرار می دهیم بلكه یك مرور كلی بر چالش های اساسی و تكنولوژیكی را ارائه خواهیم داد.

همچنان كه به بخش های بعدی نزدیك می شویم، معلوم می شود كه كدام یك از این چالش ها از طریق مهندسی سیستماتیك قابل بحث و بررسی است. در بخش چهارم این تحقیق، یكی از كاربردهای  ضروری NEMS را كه آشكارسازی نانوالكترومكانیك فراحسی می باشد تحت مطالعه قرار می دهیم. در بخش پنجم پروژه ها را ارائه خواهیم داد.

یك سیستم نانو الكترومكانیك (NEMS) از یك تشدیدگر مكانیكی با درجه بندی نانومتر –به- میكرومتر تشكیل می شود كه به یك ابزار الكترونیك دارای ابعاد قابل قیاس مزدوج می شود ، تشدیدگر مكانیكی می تواند یك شكل هندسی ساده داشته باشد مثل یك طرّه یا یك پل و از موادی مثل سیلیكون با استفاده از تكنیك های لیتوگرافی مشابه به نمونه های به كار رفته برای ساختن مدارهای تركیبی ساخته می شوند. به خاطر اندازه میكروشان، تشدیدگرهای مكانیكی می توانند با فركانس هایی در محدوده چند مگاهرتز تا حدود یك گیگا هرتز  نوسان داشته باشند. ما به طور نرمال، به ایده نوسان سیستم های مكانیكی در چنین فركانس های رادیویی – به- میكروویو، عادت نمی كنیم.

اتصال به ابزار الكترونیك به شیوه الكترو استاتیكی بومی با بكار گیری یك ولتا‍ژ به یك لایه فلزی گذاشته شده روی سطح تشدیدگر مكانیكی انجام می شود. یك نمونه از یك ابزار الكترونیك تزویجی، یك ترانزیستورتك الكترونی (SET) است كه در شكل 1 نشان داده شده است. كوانتوم الكترون ها، هر كدام در یك زمان از عرض ترانزیستور از الكترود درین به الكترود سورس كه توسط یك ولتاژ درین- سورس Vds تحریك     می شود تشكیل كانال می دهند.

بزرگی كانال دردرین به ولتاژ اعمال شده به الكترود گیت سوم (ولتاژ گیت ) بستگی دارد. چون تشدیدگر مكانیكی بخشی از الكترود گیت را تشكیل می دهد، حركت تشدیدگر ولتاژ گیت را تغییر می دهد و از این رو جریان كانال درین سورس بعد از تقویت آشكار می گردد؟

 با فركانس های بالا و جرم های اینرسی كوچك تشدیدگرهای نانومكانیكی همراه با قابلیت های شناسایی جابجایی مكانیكی فراحساس ابزارهای الكترونیك مكانیكی،به نظر می رسد NEMS گرایش زیادی به مترولوژی نشان می دهد.

یك زمینه كاربرد ممكن، میكروسكوپ  نیرو است كه در آن نوك پایه روی یك سطح را جاروب می كند و جابجایی های پایه با حركت نوك پایه روی سطح اندازه گیری     می شوند و یك نقشه توپوگرافی نیرو را ایجاد می كنند. میكروسكوپ نیروی تشدید مغناطیسی (MRFM) مزیت خاصی دارد كه یك نوك پایه فرومغناطیسی را بكار برده و نقشه برداری از الكترون جفت نشده و چگالی های چرخش هسته ای در سطح و زیر سطح انجام می شود. اخیراًٌ ، حساسیت های آشكار سازی چرخش تك الكترون بدست آمده است [12و11]، كاربردهای بالقوه در تعیین خصوصیات در سطح تك مولكولی یا اتمی، زیاد هستند و با كاربرد ابزارهای MRFM  و NEMS طراحی شده مناسب كوچكتر، فركانس های مكانیكی بالاتر ممكن است منجر به زمان های بازخوانی سریعتر در میزان حساسیت های معادل یا بهتر شوند.

کاربرد دیگر، حس كننده جرم است که در آن ذرات كوچك جرم مستقل به تشدیدگر نانومكانیكی از تغییر فركانس ارتعاشی، تعیین می شوند. اخیراً، میزان حساسیت شناسایی اتوگرام ( 10=اتو ) به دست آمده است[14و13].

با کاربرد فرکانس طراحی شده مناسب بالاتر NEMS ، شناسایی مولکولهای انفرادی در حساسیت های تك دالتونی ممکن است.( یك دالتون برابراست با و 12/1 ماده در یك c12 اتم)

NEMS در جای خود به عنوان سیستم های دینامیک مهم جالب است. به خاطر جرم اینرسی تشدیدگر نانو مکانیکی و اتصال الكترو استاتیكی قوی به ابزار الکترونیک ترکیبی دقیق حاصل شده، الکترون های انفرادی که در ابزار الکترونیک حرکت می کنند         می توانند نیروهای جابجایی بزرگی به تشدیدگر مکانیکی وارد کنند.

شکل a .1) تصویری که عملیات آشکار ساز جابجایی SET را نشان می دهد. سطوح انرژی باردار مشخص هزینه انرژی ناشی از تغییردرانرژی میدان الکتریکی ذخیره شده به صورت یک یا چند الکترون را نشان می دهد که برسطح داخلی تونل سازی می شود و گسستگی سطوح اثر کوانتومی نیست بلکه هزینه افزایش انرژی در قراردادن فزاینده تعداد الکترون های روی سطح در همان زمان استb) ریزنگار میکروسکوپ الکترون پویشی (SEM) رنگی کاذب دو پرتو کنار هممعلق و SEM را نشان می دهد. ماده اصلی و پرتو از GaAs (مناطق آبی) می باشد و الکترودهای گیت پرتو و SET لایه های نازک آلومینیوم (منطقه زرد) با اکسید آلومینیم است که مانع های تونل را تشکیل می دهد. پرتو  0/25 µm  دور از سطح الکترود قرار دارد . فرکانس موجی بنیادی سنجیده شده  برای  حرکت در سطحMHZ 116 است.

در عوض، حرکت تشدیدگر روی جریان الکترون و ... تأثیر می گذارد. در دماهای بالا، ابزار الکترونیکی خاص می توانند به یک شیوه منطقی کوانتومی رفتار کنند که دریک مکان کوانتومی دارای موقعیت های متفاوت، هنگامی که الکترونها از طریق قطعه انتقال می یابند، موجود هستند. تأثیر متقابل چنین ابزاری، مرکز جرم تشدیدگر مکانیکی ممکن است به یک حالت کوانتوم [6] کشیده شود، مثل یک موقعیت حالات مکان مجزا. ذات کوانتومی سیستم الکترومکانیکی مزدوج درموارد خاص جریان اندازه گیری شده آشكار می شود. تشدیدگرهای نانومکانیکی از حدود ده بیلیون اتم تشکیل می شوند، طوری که از طریق اکثر استانداردها، چنین تغییرات کوانتومی، میکروسکوپی فرض می شوند. این مهم است که درک کنیم که در اینجا ما به تأثیرات کوانتوم در ابزار "واقعی کدر" اشاره کنیم که دارای درجات آزادی مكانیكی و الکترونیکی بوده به شدت با محیط اطراف که از فوتون و فونون تشکیل شده تعامل داشته و معایب تشدیدگر مکانیکی و ابزار الکترونیکی را تغییر می دهند. بررسی آزمایشی و نظریه ای چنین سیستم هایی منجر به یک فهم عمیق تر از چگونگی تبدیل دینامیک کلاسیک با تقریب به دینامیک کوانتوم می شود. NEMS  دنیای کوانتوم میکروسکوپی و کلاسیک ماکروسکوپی ایجاد        می كنند.

در اولین آزمایشات به بازبینی دینامیک NEMS، می پردازیم كه نتیجه می گیریم اجزاء تشدیدگر مکانیکی همانطور که انتظار می رفت، به شیوه کلاسیک عمل می كنند، آزمایشات به اندازه ی کافی خالص نیستند تا تأثیرات دخالت کوانتوم را که توسط محیط تشدیدگر از بین می روند را قابل مشاهده کنند. به رغم این، دینامیک نیمه کلاسیک NEMS مهم بوده و ارزش بررسی دارد. یک بعد از بررسی این است که ویژگی های مشترک دینامیک کلاسیک ابزار متفاوت NEMS را شناسایی کنیم تا به میزان ارتباط و وابستگی رشته ای دست یابیم. تحت شرایط خاص تزویج ضعیف و همچنین جدایی وسیع مقیاس زمانی دینامیکی الکترونیک و مکانیکی، ابزار الکترونیک به طور مؤثر به صورت یک حمام حرارتی عمل می کند. تشدیدگر مکانیکی حرکت براونی حرارتی را که توسط یک ثابت میرایی و دمای مؤثر شناسایی می شود و توسط پارامترهای الکترونیک وسیله مشخص می شود را تحمل می کند [23 و22]. این واقعیت که ابزار الکترونیک می تواند به طور مؤثر توسط یک حمام حرارتی جایگزین شود، در اولین نگاه با دانستن اینکه جریان الکترون تحریک شده توسط ولتاژ در ابزار، یک حالت الکترون دور از تعادل است، حیرت انگیز می باشد. کاربرد مدل های اصول شناخته شده پایداری در ساختار مدل های تئوریک سیستم های غیرتعادلی نه چندان شناخته شده برای یافتن كاربرد وسیع به دوران اولیه مكانیك آماری بر می گردد. خلاصه این فصل به این شکل است: بخش2 نمونه هایی از ابزار گوناگون معرف NEM را نشان می دهد که در حال بررسی هستند. بخش 3، دینامیک کلاسیک سیستم تشدیدگر SET- مکانیکی را با تمرکز روی توصیف موازنه مؤثر در رژیم اتصال ضعیف بررسی می کند. بخش 4، دینامیک موازنه مؤثر برخی دیگر از NEMS معرفی می شده دربخش2 را توصیف می کند. بخش 5 نتیجه گیری   می باشد.

2– ویژگی های NEMS:

1-2 NEMS به عنوان ابزارات الكترومكانیك چند قطبی.

تصویر شماره 2 وسیله الكترومكانیكی چندقطبی كلی را نشان می دهد كه در آن مبدل های  الكترومكانیكی  محرك  مكانیك ورودی را برای سیستم فراهم كرده و  پاسخ مكانیكی اش را مورد مطالعه قرار می دهند. در قطب های كنترل اضافی، سیگنال های الكتریكی، به ظاهر استاتیك و متغیر زمانی می تواند بكار گرفته شود و نتیجتا با كنترل مبدل ها به نیروهایی برای برهم زدن ویژگی های عنصر مكانیكی تبدیل می شود.

ابزارات NEMS تصاویر كلی توصیف شده در بالا را ارائه می دهد. ما بعدا می توانیم NEMS های موجود را به دو دسته تشدیدشده و ظاهرا استاتیك تقسیم كنیم.

شكل 3- نمودار معرفی وسایل الكترومكانیكی چند ترمینالی

تصویر 2 a) تقطیق ریز نگار الكترون از Sic NEMS . این اولین خانواده از ریز میكرون دو پرتو كنارهم كه فركانس های تشدیدی موجی بنیادین آن از دو تا 134 مگاهرتز نمایش داده می شود. آنها با الگوها در تكنولوژی كالری از C-Sic 3 بودند كه لایه های epi به حالت دانشگاه غربی اختصاص داده شد. b) سطح نانو ماشین NEMS ساخت آن به غیر از ساختمان نیمه هادی شروع شد. از چنین واحد نشان داده شده در I) با ساختمانی (بلند) از دست دادن (وسط) لایه های روی سر یك زیر لایه (پائین). II) ابتدا ماسك از طریق پرتو لیتوگرافی الكترون تعیین می شود. III) سپس به طور نمونه در لایه از دست داده با استفاده از سیاه كردن یك ناهمسانگر مانند سیاه كردن پلاسما  IV) سرانجام لایه از دست داده شده تحت ساختمان با استفاده از سیاه انتخابی رفع می شود. ساختمان   می تواند بعد یا در مدت فرایند وابسته به نیازمندیهای سنجش مخصوص فلز كاری شود.

در این بازنگری توجه ما در ابتدا بر ابزارات تشدید به عنوان ابتدایی ترین كاربردهای NEMS می باشد مبدل های ورودی در NEMS های تشدیدی، انرژی الكتریكی را با تحریك كردن حالت های تشدیدی عنصر مكانیكی به انرژی مكانیكی تبدیل می كنند. پاسخ مكانیكی كه جابه جایی عنصر نامیده می شود به سینگنال های الكتریكی بازگردانده می شود. در این حالت تشدید عملیات اختلالات خارجی می تواند به عنوان سینگنال های كنترلی مورد نظر قرار گیرد چرا كه آن ها ویژگی های ارتعاشی چون شدت فركانس π ωo/2 یا Q عنصر ارتعاشی را توصیف می كنند. ماباید مكانیسم های تبدیل های الكترومكانیكی در NEMS را مورد بحث و بررسی قرار داده وبرای اندازه گیری اختلال خارجی كه در بخش چهار مورد مطالعه قرار می گیرد مثال بیاوریم.

2-2     فركانس

در تصویر شماره 4، ما فركانس های بدست آمده به طور تجربی را برای حالت های متغیر بنیادین پرتوهای نازك طراحی كرده و برای ابعاد مختلف دامنه را از MEMS به عمق NEMS  ادامه می دهیم. تخمین ها مكانیكی زنجیره ای برشمرده می شود، در واقع این بدین مفهوم است كه عبارت    شدت تغییر فركانس های  نازك پرتوهای NEMS را كه به طور مضاعف گیر افتاده اند را تعیین   می كند. در اینجا، w×t×l ابعاد موجود هستند، E ضریب یانگ می باشد و P برابر با چگالی حجم پرتو است (تصویر4). قابل توجه است كه برای ساختارهای با ابعاد مشابه، si فركانس های ضریب 2 را بوجود آورده و sic چیزی است كه 3 برابر میزان بدست آمده از ابزارات GaAs می باشد. این افزایش ولوسیته  فاز افزایش یافته را در مواد سفت تر نشان می دهد.

البته ، حتی اگر در سایز كوچكتر از این نیز قرار داشته باشد هنوز ملموس است به خصوص برای نانووایر و نانوتیوپ NEMS این مسئله دقیقا صدق می كند. ممكن است بپرسید كه در چه مقیاسی مكانیك زنجیره وار شكسته شده و تصحیح رفتار اتمی صورت می گیرد؟ شبیه سازی دینامیك ملكولی برای ساختارهای ایده آل و آزمایش های اولیه نشان می دهد كه این فقط برای ساختارهای بر روی نظم ده شبكه لتیس در برش عرضی آشكار می گردد. بنابراین برای بیشتر كارهای اخیر در NEMS، تخمین های زنجیره ای موجود كافی به نظر می رسد.

در اكثر NEMS ها به خصوص در ساختارهای دو یا چند لایه ای، فشارهای داخلی باید هنگامی كه فركانس های شدت تخمین زده می شود در نظر گرفته شود. تصویر 5 تلاش اولیه ما را برای مشخص كردن چنین تأثیراتی در NEMS های نیمه رسانا با لایه های رویی فلزی نشان می دهد. در این اندازه گیری ها نیروهای ایستایی كوچك برای شدت های پرتو نانومكانیكی گرفته شده بكار بسته می شود و فركانس های تشدیدشان تحت عنوان تابع نیروی اعمالی بكار گرفته شده ارزیابی می شود. تغییرات فركانس تحریك شده به خصوص هدایت ظاهری آن كه با تغییر همراه شده است توسط وجود فشار داخلی مقاوم ثابت می گردد.

شکل 4: طرح فرکانس در مقابل هندسه موثر برای دودسته پرتو کنارهم که از تک کریستالSi , Sic GaAs ,  ساخته می شودی دودسته پرتو کنارهم با طول L عرض w و ضخامت t نشان می دهد. فرکانس تشدیدی انعطافی خارج از سطح بنیادی این ساختار با این عبارت معین شده است  در طرح مقادیر t/L2 برای رفع اثر سختی اضافی و بارگیری جرمی به خاطر فلز سازی الکترود غیرعادی می شود.

3-2 ضریب كیفیت (Q)

ضریب Q كه در نیمه رساناهای NEMS بدست آمده اند در رنج 105- 103 وجود دارند. این از لحاظ نوسانگر الكتریكی از بقیه دسته های موجود فراتر می رود. این مقدارناچیز اتلاف انرژی داخلی، سطوح قدرت اجرایی پایین و حساسیت بالا را چنانكه در بخش بعد به طور دقیق توضیح خواهیم داد به NEMS منتقل خواهد كرد.

برای ابزار پردازشگر سیگنال، Q بالا به طور مستقیم به کاهش ضمیمه زیر بر می گردد. باید توجه باشیم كه Q بزرگی كاهش پهنای باند را نتیجه می دهد در حالی كه این به دو دلیل برای اجرا از میان بخش نمی باشد. اولین دلیل كنترل بازخورد است كه می تواند بدون معرفی و سروصدای اضافی بكار بسته شود و ممكن است برای افزایش پهنای باند تا حد دلخواه مناسب باشد. دوم اینكه، برای عملكرد مبدل در GHZ 1 ~ حتی در مورد Q با میزان بالا 10 ~ ، عرض های معادل KHZ 10 ~ نیز می تواند بدست آید؛ این برای كاربردهای مختلف باندهای باریك نیز كافی می باشد.

4-2 مشخصه عملكرد توان عملیاتی

درك حداقل قدرت اجرای P min برای وسیله NEMS تشدیدی می تواند توسط درك اینكه مبدل به طور ساده یك وسیله ذخیره انرژی از دست رفته است بدست آید. انرژی كه به وسیله منتقل میگردد و در فواصل زمانی Q/ω0 ~ T اتلاف می شود فرمان شروع و پایان مبدل خوانده می شود. حداقل توان عملیاتی برای سیستم به عنوان انرژی كه سیستم را در دانه های قابل مقایسه با آن دسته از نوسانات گرمایی،تحریك می كندبا تعیین KBT نوسانات گرمایی حداقل قدرت ورودی می تواند توسط فرمول زیر تخمین زده شود.

(1)            P min ~kBTΩo/Q

برای وسیله NEMS كه امروزه از طریق لیتوگرافی پرتو در دسترس می باشد، ویژگی سطح قدرت پایین در ردیف(1017w)10aw قرار دارد. حتی اگر ما این مقدار را در ضریب 1000000  ضرب كنیم وبعد از آن عملكرد یك میلیون از چنین ابزاری برای درك بعضی از سیستم های محاسبه  یا پردازشگر مكانیكی بر اساس NEMS كه در آینده بكار می رود را مشاهده كنیم، سطوح قدرت سیستم كلی هنوز بر اساس µw 1 قرار دارد. این 6 مرتبه مقدار پیچیدگی كمتری از اتلاف قدرت در سیستم های جریان مشابه مبنی بر  ابزارات دیجیتالی است كه در محدوده الكترونیكی به تنهایی كار می كنند.

5-2 پاسخ گویی ( واكنش پذیری)

این امكان وجود دارد كه تكنولوژی MEMS با مقیاس كوچك را برای بدست آوردن فركانس های  بالا به كار بگیریم .  این شیوه ، با این  وجود دارای  مضرات  جدی و  قابل ملاحظه ای می باشد كه درك محدوده كامل توانایی هایی كه توسط تكنولوژی NEMS ارائه شده است را محدود می كند. برای تشریح این مقوله ما باید مجددا بحث مان را بر روی پرتوهای گرفته شده به طور مضاعفL/t,L/W معطوف كنیم. دستیابی به فركانس بالا با ساختارهای با مقیاس میكرون فقط با نسبت های كوچك واحد ترتیبی اتفاق می افتد. چنین هندسه هایی مقدار ثابت نیروی بالایی keff را به وجود می آورند.

تصویر 5) اندازه گیری فشار و كشش داخلی در مبدل های پرتو نانوالكترونیك در اینجا پرتو در معرض نیروی Fdcو همچنین نیروی تحریك كوچك در اطراف فركانس شدت قرار دارد. تأثیر شبكه تغییر ω δ در ωo می باشد. Fdcتوسط عبور جریان dc در طول پرتو در رشته مغناطیسی ایستا تولید    می شود. تغییر فركانس داده های Sω/ωo در مقابل Fdcدر طول واحد پرتو IdcB برای سه مقاومت مغناطیسی مختلف B به وجود    می آید. انحنای واضحی كه در پایین ترین قسمت قرار دارد و دارای ارزش   می باشد   می تواند به تأثیر گرمایی نسبت داده شود چرا كه برای بدست آوردن Fdc مشابه، Jdcبزرگتر در B پایین تر مورد نیاز است. آنالیز ساده با استفاده از تئوری الاستیكی نشان می دهد كه ω δ مثبت است و در اطراف Fc═0 در مبدل پرتو بدون فشار به طور متقارن وجود دارد. یك مبدل با فشار داخلی، با وجود این، یك تغییر را در ω/ωo δ به وجود می آورد كه با داده های ارائه شده ثابت می گردد.

Keff بزرگ می تواند به ترتیب بر موارد زیر تأثیر بگذارد : الف) دامنه دینامیك قابل دسترسی  ب) توانایی هماهنگی ابزار با استفاده از سیگنال های كنترل پ) كسب حداكثر Q (از طریق به حداقل رساندن اشعه های صوتی به  پشتیبانی یعنی محار كردن تلفات) و ت) سطوح تحریك شده مورد نیاز برای القای پاسخ های غیرخطی. تمام این ویژگی ها در بعد و متغیر ساختارهای نسبی بهینه سازی می شود یعنی ساختارهای با هندسه هایی كه اخیرا در MEMS مورد استفاده قرار می گیرد اما در تمام جهات ابعاد مقیاس نانوNEMS را كاهش می دهد: Keff محاسبه شده و سایر پارامترهای حائز اهمیت برای NEMS های مختلف در طول ابعاد شان در جدول شماره 1 آورده شده است.

جدول 1: ویژگی های مهم برای خانواده ای از پرتوهای δi باگیر کردن مضاعف با p=10000 در T=300K مقدار ثابت نیروی موثر Keff= 23 Et3 w/L3 برای بارگیری نقطه ای در مرکز پرتو تعیین می شود. دامنه غیر خطی C> با استفاده از معیار توصیف شده در متن مشخص شده است. دامنه دینامیکی خطی محدود ترمومکانیکی برای عرض نواراصلی پرتو  محاسبه­می شود­جائیکه  جرم موثر برای حالت اساسی  است که Mtot کل جرم پرتو است.

قیمت فایل فقط 31,200 تومان

خرید

برچسب ها : بررسی سیستم های نانوالكترومكانیک (NEMS) , فركانس , ویژگی های NEMS

نظرات کاربران در مورد این کالا
تا کنون هیچ نظری درباره این کالا ثبت نگردیده است.
ارسال نظر